REALISATION D UN AMPLI DE 10W 1 ETAGE SUR 3CM

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REALISATION D UN AMPLI DE 10W 1 ETAGE SUR 3CM 1 INTRODUCTION: Le transistor utilisé est le NEZ E, il est possible d utiliser n importe quel transistor 10W bande X 2 PRECAUTIONS LORS DE LA MANIPULATION

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REALISATION D UN AMPLI DE 10W 1 ETAGE SUR 3CM 1 INTRODUCTION: Le transistor utilisé est le NEZ E, il est possible d utiliser n importe quel transistor 10W bande X 2 PRECAUTIONS LORS DE LA MANIPULATION DES TRANSISTORS GaAS FETs: Ne jamais perdre de vue que les transistors GaAS FETs sont fragiles à l électricité statique, une mauvaise manipulation peut entraîner leur destruction. Précautions élémentaires: _Avant toute soudure, débranchez systématiquement votre fer à souder et déchargez la panne en la mettant en contact avec la masse de votre montage. _Eviter de toucher les pattes de porte et de drain avec les doigts. Si vous désirez réduire la longueur de ces pattes utiliser impérativement une petite pince coupante isolée. 3 DESCRIPTION DU SCHEMA DE PRINCIPE: L alimentation du transistor est régulée à 9.5V à l aide d un régulateur «low drop LT1084», la tension négative nécessaire à la polarisation des portes est réalisée à l aide d un convertisseur de tension ICL7660 alimenté en 5V par un régulateur 78L05. Une résistance ajustable permet le réglage des courants de repos des GaAS FET. 4 PERFORMANCES OBTENUES: _PUISSANCE DE SORTIE: 10W _GAIN: 6 à 7dB _COURANT CONSOMME: 3A _PUISSANCE MAX : 11W 5 MONTAGE MECANIQUE: Les performances obtenues dépendent essentiellement du soin apporté lors du montage. L ampli est monté dans un boîtier schubert de dimension 74*55*30. 6 PREPARATION DU CIRCUIT TEFLON: _Découper le circuit aux dimensions intérieures du boîtier. _Découper l emprunte du régulateur. _Découper l emprunte du GaAS FETs exactement aux dimensions afin que les pattes de porte et de drain soient soudées au plus court sur les lignes 50ohm _Percer les trous de fixation de diamètre 2.5mm pour la fixation du radiateur sur le plan de masse du circuit. 7 PREPARATION DU RADIATEUR: _Découper un radiateur d aluminium de dimensions légèrement inférieures au circuit téflon afin de permettre la soudure de ce dernier dans le boîtier. _Fraiser l emprunte du transistor afin que les pattes soient soudées au plus court sur les lignes 50ohm. _Centrer ce radiateur sur le circuit téflon, contre-percer les trous de fixations à l aide d un foret de 2mm puis tarauder à 2.5mm _Ebavurer les trous à l aide d un foret de 6mm. _Percer les trous de fixation des transistor à 2mm puis tarauder à 2.5mm _Percer les trous de fixation du régulateur à 2.5mm puis tarauder à 3mm. 8 PREPARATION DU BOITIER: _Pointer et percer les trous de passage des prises SMA. ATTENTION:LE COTE PISTE DU CIRCUIT DOIT ETRE IMPLANTE A 11mm DU COUVERCLE SUPERIEUR DU BOITIER. _Pointer et percer les trous de passage du by-pass. _Souder les prises SMA en prenant soin de bien les centrer sur les lignes 50 ohm. 9 SOUDURE DU CIRCUIT DANS LE BOITIER: _Assembler les deux parois latérales du boîtier. _Présenter le circuit teflon dans le boîtier, le plaquer contre les pinoches des fiches SMA et souder ces dernières après s être assuré de la position horizontale du circuit. _Souder le circuit dans le boîtier sur tout le pourtour coté masse et coté pistes. 10 MONTAGE DU RADIATEUR: _Appliquer de la peinture à l argent sur le plan de masse opposé aux lignes 50 ohm. _Monter le radiateur contre le plan de masse du circuit téflon en s assurant qu il soit bien plaqué sur toute la surface. 11 MONTAGE DES COMPOSANTS: _Tous les composants sont montés coté piste, il n existe aucun trou de passage de composants, la mise à la masse est assurée par les vis de 2.5mm en laiton qui fixent le radiateur sur la face opposée. Souder tous les composants sauf les GaAS FET. 12 MISE SOUS TENSION: _Vérifier visuellement le câblage. _Mettre sous tension et vérifier la présence de la tension de 9.5V sur la résistances de 0.1ohm. _Vérifier la présence du -5V en sortie du circuit ICL7660. _Vérifier que la tension de polarisation varient de 5V à 0.4V avec la variation de la résistance ajustable. _Régler les tensions de polarisation à la valeur la moins négative. _Mettre hors tension. 13 MONTAGE DU GaAS FET: _Enduire la semelle du transistor de puissance de peinture à l argent. _Fixer le transistor à l aide de 2 vis laiton de 2.5mm _Souder les pattes de porte et de drain après avoir débranché le fer à souder. _Positionner le curseur des résistances ajustables du coté -5V avant la remise sous tension. 14 MISE SOUS TENSION: _Charger l entrée et la sortie sur des bouchons 50 ohm. _Mettre sous tension et régler la tension de drain à la valeur suivante (courants de repos) : NEZ E: 9.35V (1.5A) 15 REGLAGES HF: En hyper fréquence les adaptations sont éffectuées en positionnant des stubs sur les lignes 50 ohm d entrée sortie afin d adapter leur impédance à celle du transistor. Ces stubs sont constitués de petits morceaux de feuillard de cuivre que je récupère personnellement dans des chute de câble H100 (blindage). Pour positionner les stubs, j utilise un morceau d epoxy d une longueur de 12cm et de largeur 5mm dépourvu de cuivre et taillé en biseau sur lequel j applique un morceau de double face pour maintenir le stub. Remarques : Commencer par la sortie, terminer par l entrée, le NEZ1011-8E étant pré-adapté dans la bande X, n a besoin que de très peu de stub. 16 PROCEDURE DE REGLAGE: _Connecter l exciteur sur l entrée (2W maxi). _Connecter un wattmètre hyper en sortie. _Positionner les stubs sur la ligne de sortie pour faire le maxi. _Faire de même pour la ligne d entrée. ATTENTION: Lorsque vous avec trouvez le max, ne bougez plus le stub, DEBRANCHEZ L ALIM DU PA, ET DEBRANCHEZ LE FER A SOUDER AVANT DE SOUDER LE STUB SUR LA PISTE. Il est possible qu il soit nécessaire de s y reprendre à plusieurs fois. Remettre sous tension et vérifier que la puissance obtenue n a pas trop bougée si non enlever le stub et recommencer.(le positionnement du stub peut être pointu). Lorsque les réglages sont terminés mettre le couvercle supérieur et vérifier qu il ne n influe pas trop sur la puissance de sortie (correct si la cote de 11mm entre le coté piste et le couvercle a été respectée).sinon il sera nécessaire de coller de la mousse antistatique de 5mm d épaisseur sur la partie interne du couvercle afin de limiter les résonances parasites. 17 LISTE DU MATERIEL: C1,C2, C3, C4, C5, C6 CMS 805 C14, C15 1pF CMS ATC100 C7, C8, C9, C10, C11, C12, C13 CMS 805 R1 270 CMS 805 R2, R3 1.5k CMS 805 R4 10 CMS 805 R5 100 CMS 805 R6 1k ajustable cms cermet série 3314G R W Bobinée R8 1,5k CMS 805 R9 680 CMS 805 R10 47 CMS 805 T1 BC547 ou npn équivalent T2 NEZ1011-8E ou tout transistor 10W bande X D1 4,7V zener D2 BAT15 detection D3 1.5KE15A à souder sur le bypass d'alim IC1 IC2 IC3 ICL L05 LT1084 BOITIER FER ETAME schubert 74 x 55 x30 2 PRISES SMA CI à souder sur le boitier 2 BYPASS à souder sur le boitier CIRCUIT EPOXY Téflon F1JGP 18 PRINCIPE: 12 à 14V 1.5KE15A 10K IN ADJ LT1084 OUT IN OUT L05 ICL V 270 GND BC K 1.5K 0.1 3W 10 1K 100 OUT IN 1pF 1pF NEZ1011-8E BAT MONITOR 19 IMPLANTATION: C13 C3 C4 12v C7 R1 R2 R3 C1 F1JGP 3cm T1 IC2 IC1 D1 R8 C12 C2 C11 R6 C8 C5 C6 R5 C15 R4 R7 T2 C9 D2 IC3 R10 C14 C10 R9
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